供应IRIRF640NPBF IRF640NS场效应管MOS管

场效应管 MOSFET N TO-220
200V 18A

  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续:
    18A
  • 漏源电压, Vds:
    200V
  • 在电阻RDS(上):
    150mohm
  • 电压 @ Rds测量:
    10V
  • 阈值电压 Vgs:
    4V
  • 功耗 Pd: 150W
  • 晶体管封装类型:
    TO-220AB
  • 针脚数: 3
  • 工作温度最高值:
    175°C
  • MSL: -

  • 工作温度最小值:
    -55°C
  • 工作温度范围:
    -55°C 至 +175°C
  • 漏极电流, Id
    最大值:
    18A
  • 热阻, 结点至外壳A:
    1°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on
    测量:
    10V
  • 电压, Vds 典型值:
    200V
  • 电压, Vgs 最高:
    4V
  • 电流, Idm 脉冲:
    72A
  • 表面安装器件:
    通孔
  • 阈值电压, Vgs th
    最高:
    4V


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