WSD30L30DN -30V/-32A/DFN封装/P沟道MOS管 场效应管WINSOK微硕

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品牌 WINSOK微硕 型号 WSD30L30DN 封装 DFN3X3
批号 2018 FET类型 绝缘栅(MOSFET) 漏源电压(Vdss) -30V
漏极电流(Id) -32A 漏源导通电阻(RDS On) 15mΩ 栅源电压(Vgs) 20V
栅极电荷(Qg) 20 反向恢复时间 4.6 最大耗散功率 29.8(mW)
配置类型 增强型 工作温度范围 -55℃-150℃ 安装类型 贴片
应用领域 3C数码,医疗电子,物联网IoT,新能源,军工/航天,家用电器,安防设备,智能家居,广电教育,照明电子,测量仪器,可穿戴设备,汽车电子,网络通信

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